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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑战已被攻克
作为第三代半导体，SiC凭借着多方面更优异的性能正在向更多应用领域扩展，但不容回避，成本、易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍然稍逊于硅器件，这也让碳化硅器件取代硅器件的发展之路面临挑战。
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最全！解析碳化硅外延材料产业链
与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
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碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估
臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。
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一款62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?
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你了解AgileSwitchÒ数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包吗？
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块。
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关于可能接触的交换式电源供应器，你知道吗？
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如交换式电源供应器。
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英飞凌签约GT Advanced Technologies，扩大碳化硅供应
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX)与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议，合同预期五年。通过这份供货合同，英飞凌将进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。
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关于新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“TW070J120B”解析
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的碳化硅(SiC)MOSFET吗?
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快来了解Microchip的SiC汽车功率器件，你知道吗？
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如碳化硅肖特基二极管。
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第三代半导体碳化硅的国产化
碳化硅(SiC)，与氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)等一起，属于第三代半导体。碳化硅等第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能。
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东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源)，并于今日开始出货。
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首片国产 6英寸碳化硅晶圆产品发布！在上海
2020年10月17日东方卫视的报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。
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半导体迎重磅利好！国产借此“弯道超车”？
近期，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体概念异军突起。机构人士指出，第三代半导体的火爆，一方面受国家政策面影响：另外有消息称，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;而更重要的是当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好，支撑了板块内相关细分行业的业绩。
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碳化硅，氮化镓等第三代半导体材料爆发！
当前先进半导体材料已上升至国家战略层面，2025年目标渗透率超过50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学，《中国制造2025》分别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块等细分领域做出了目标规划。
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科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能
科锐正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型
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【网络研讨会】看资深专家为您讲解用于电动汽车的碳化硅解决方案，快报名！
点击蓝字关注我们 网上研讨会 2020年8月18日 上午10:00 点击“阅读原文”，预先报名 活动介绍 电动汽车 (BEV) 和插电式混合动力汽车 (PHEV) 的广泛普及持续快速增长-估计2019年美国售出30万辆BEV，约占新车总销量的2％。这些车辆中的每一辆车都有...
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安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。
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我司的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器
点击蓝字关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三...
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英飞凌推出62mm CoolSiC™模块，为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌科技股份公司为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。
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GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管，你了解吗？
什么是GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管?它有什么特点?中国，北京，2018年6月22日讯 - Littelfuse公司，今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。 相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。 本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。
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