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产能翻番，安森美半导体碳化硅为何“必不可少”？
导读安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。具有优异特性的“第三代半导体材料”碳化硅（SiC）相比传统硅材料，因具有良好的带隙、击穿场强、高热导率、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度而被制为SiCMOSFET...
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当碳化硅变成地摊货
碳(C)是元素周期表中第六号元素，在生活中比较常见，在有机化学中也扮演者重要角色。碳形成的物质性质差异很大，有自然界硬度最大的金刚石，也有质地非常柔软的石墨。硅(Si)与碳处于周期表中的同一列，所以二者化学性质也相似。硅在自然界中主要以硅酸盐或二氧化硅的形式存在，储量丰富。提取到纯度99%以上的硅单质开创了“信息时代”，硅制成的集成电路与晶体管等半导体器件的生产大大加速了信息化的进程，而二氧化硅制造的光纤更是将世界连接了一起。碳与硅比较常见，那你有没有想过碳+硅是什么呢?
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充电桩刚性需求，新基建加速SiC应用
在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。因此，碳化硅在光伏逆变器、新能源汽车的电机控制器以及充电桩等应用中，相比于传统硅器件有着很大优势。
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【媒体访谈】解读安森美半导体在碳化硅领域的机遇
点击上方蓝字关注我们 不久前，安森美半导体刚刚推出新的900V和1200V SiC MOSFET，借此机会，EEWORLD专访了安森美半导体宽禁带产品线经理Brandon Becker，就安森美SiC的产品、机遇、策略等相关话题给予了解读。 以下是文章详情： Q 目前安森美半导体...
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关于碳化硅的合成、用途及制造工艺
碳化硅(SiC)，又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
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碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路
电信行业连接着全球数十亿人和数百万家企业。电信行业的增长是以新技术为基础的。这些新技术使互联互通成为可能，为用户提供颇具吸引力的新功能，并证明升级和扩大蜂窝网络基础设施的投资是合理的。伴随着早期 4G LTE 技术支持的数据通信的出现，通信服务呈爆
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探访三亚FE现场，揭秘文图瑞车队精彩逆变
Formula E已经走到第五个赛季，一路展示着EV（电动汽车）其独有的魅力。电光火石间，“科技凝聚体”以280Km/h的速度穿过纽约，巴黎，香港等各大城市的公共道路，同时收获了以千禧一代为首，
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CISSOID和清华大学电机系达成合作 携手推进基于碳化硅功率模块系统研发
双方携手推动碳化硅功率器件在新能源汽车领域实现广泛应用。 比利时·蒙 - 圣吉贝尔和中国·北京 – 2019年4月8日 – 高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID日前宣布：公
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基本半导体与广电计量达成战略合作，加快推出车规级碳化硅器件
在5月8日时，深圳基本半导体与广州广电计量检测股份有限公司（简称广电计量）在广州举行战略合作签约仪式，双方宣布将围绕第三代半导体功率器件开展上下游全产业链的深度合作，加快推出车规级碳化硅器件，
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使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。
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安森美半导体的领先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的优势
安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商，是该技术的先锋，并创建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我们提供同类最佳的封装技术，全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC和氮化镓(GaN)驱动器及集成模块。
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三代半导体材料之间的区别？
半导体材料共经历了三个发展阶段，那么有网友有疑问：第三代半导体材料诞生之后，第一代和第二代半导体材料还在发挥作用吗?以及第三代半导体相较第一代、第二代有哪些进步?这三代半导体之间有什么技术区别?为何氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半导体中备受追捧?
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SiC晶圆激光切割技术
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料，主要由硅、锗、硒等;化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。
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【媒体访谈】车用级碳化硅应用如何？
点击上方蓝字关注我们 安森美半导体： 不断推进与车企的各种合作项目 安森美半导体提供大范围的车用碳化硅 （SiC） MOSFET 和车用SiC二极管，包括：650V SiC二极管、1200V SiC二极管、1700V SiC二极管、650V SiC MOSFET （现提供样品，今...
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产能翻番，安森美碳化硅为何“必不可少”？
具有优异特性的“第三代半导体材料”碳化硅 （SiC） 相比传统硅材料，因具有良好的带隙、击穿场强、高热导率、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度而被制为SiC MOSFET和SiC二极体，大面积应用于汽车和工业市场。 图：Si、GaAS、GaN和SiC半导体材料特性对比
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产能翻番，安森美碳化硅为何“必不可少”？
安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。
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【媒体访谈】半导体业在“新基建”中机遇与挑战
2020年，“新基建”政策无疑是国家发放的“香饽饽”，其涉及领域众多，包含了5G基建、大数据中心、人工智能、高特压、新能源汽车充电桩、工业互联网等。据悉，“新基建”相关总投资规模有接近34万亿元，这也为各行各业带来了前所未有的发展时机，其中，半导体作为“新基建”的基础设施建材，也...
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碳化硅功率电子器件将助力电动汽车的快充研发
（文章来源：意法半导体） 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体被雷诺 － 日产 － 三菱联盟指定为高能效碳化硅（SiC）技术合作伙伴，为联盟即将推出的新一代电动汽车的先
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氮化镓的技术优缺点及在无线基站中的应用分析
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半导体产业的代表元素，作为最基础的器件原料，硅的性能已经接近了其物理极限。近年来随着电动汽车、5G的新应用的普及，对于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化镓和SiC（碳化硅）等新材料半导体器件已经成为了行业内备受关注的产品。
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