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安森美半导体的世界级宽禁带产品供应链
当采用宽禁带材料如碳化硅(SiC)半导体等精密器件时，至关重要的是选择一个不仅可提供产品，还可提供设计方案、信息和支援的供应商。安森美半导体具有内部的、端到端供应链的优势。
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新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用，你了解吗？
什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用?它有什么作用?推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。
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助力在系统层面优化效率的碳化硅（SiC）电源器件系列产品
你知道助力在系统层面优化效率的碳化硅(SiC)电源器件系列产品吗?它有什么作用?业界希望基于碳化硅(SiC)的系统能最大程度地提升效率、减小尺寸和重量，从而帮助工程师创建创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力系统等。
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臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室
中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布在中国(上海)自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”。
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产能翻番，安森美半导体碳化硅为何“必不可少”？
导读安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。具有优异特性的“第三代半导体材料”碳化硅（SiC）相比传统硅材料，因具有良好的带隙、击穿场强、高热导率、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度而被制为SiCMOSFET...
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当碳化硅变成地摊货
碳(C)是元素周期表中第六号元素，在生活中比较常见，在有机化学中也扮演者重要角色。碳形成的物质性质差异很大，有自然界硬度最大的金刚石，也有质地非常柔软的石墨。硅(Si)与碳处于周期表中的同一列，所以二者化学性质也相似。硅在自然界中主要以硅酸盐或二氧化硅的形式存在，储量丰富。提取到纯度99%以上的硅单质开创了“信息时代”，硅制成的集成电路与晶体管等半导体器件的生产大大加速了信息化的进程，而二氧化硅制造的光纤更是将世界连接了一起。碳与硅比较常见，那你有没有想过碳+硅是什么呢?
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充电桩刚性需求，新基建加速SiC应用
在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。因此，碳化硅在光伏逆变器、新能源汽车的电机控制器以及充电桩等应用中，相比于传统硅器件有着很大优势。
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【媒体访谈】解读安森美半导体在碳化硅领域的机遇
点击上方蓝字关注我们 不久前，安森美半导体刚刚推出新的900V和1200V SiC MOSFET，借此机会，EEWORLD专访了安森美半导体宽禁带产品线经理Brandon Becker，就安森美SiC的产品、机遇、策略等相关话题给予了解读。 以下是文章详情： Q 目前安森美半导体...
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关于碳化硅的合成、用途及制造工艺
碳化硅(SiC)，又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
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碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路
电信行业连接着全球数十亿人和数百万家企业。电信行业的增长是以新技术为基础的。这些新技术使互联互通成为可能，为用户提供颇具吸引力的新功能，并证明升级和扩大蜂窝网络基础设施的投资是合理的。伴随着早期 4G LTE 技术支持的数据通信的出现，通信服务呈爆
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探访三亚FE现场，揭秘文图瑞车队精彩逆变
Formula E已经走到第五个赛季，一路展示着EV（电动汽车）其独有的魅力。电光火石间，“科技凝聚体”以280Km/h的速度穿过纽约，巴黎，香港等各大城市的公共道路，同时收获了以千禧一代为首，
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CISSOID和清华大学电机系达成合作 携手推进基于碳化硅功率模块系统研发
双方携手推动碳化硅功率器件在新能源汽车领域实现广泛应用。 比利时·蒙 - 圣吉贝尔和中国·北京 – 2019年4月8日 – 高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID日前宣布：公
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基本半导体与广电计量达成战略合作，加快推出车规级碳化硅器件
在5月8日时，深圳基本半导体与广州广电计量检测股份有限公司（简称广电计量）在广州举行战略合作签约仪式，双方宣布将围绕第三代半导体功率器件开展上下游全产业链的深度合作，加快推出车规级碳化硅器件，
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使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。
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安森美半导体的领先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的优势
安森美半导体是领先的宽禁带半导体制造商，是该技术的先锋，并创建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我们提供同类最佳的封装技术，全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC和氮化镓(GaN)驱动器及集成模块。
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三代半导体材料之间的区别？
半导体材料共经历了三个发展阶段，那么有网友有疑问：第三代半导体材料诞生之后，第一代和第二代半导体材料还在发挥作用吗?以及第三代半导体相较第一代、第二代有哪些进步?这三代半导体之间有什么技术区别?为何氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半导体中备受追捧?
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SiC晶圆激光切割技术
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料，主要由硅、锗、硒等;化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。
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【媒体访谈】车用级碳化硅应用如何？
点击上方蓝字关注我们 安森美半导体： 不断推进与车企的各种合作项目 安森美半导体提供大范围的车用碳化硅 （SiC） MOSFET 和车用SiC二极管，包括：650V SiC二极管、1200V SiC二极管、1700V SiC二极管、650V SiC MOSFET （现提供样品，今...
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产能翻番，安森美碳化硅为何“必不可少”？
具有优异特性的“第三代半导体材料”碳化硅 （SiC） 相比传统硅材料，因具有良好的带隙、击穿场强、高热导率、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度而被制为SiC MOSFET和SiC二极体，大面积应用于汽车和工业市场。 图：Si、GaAS、GaN和SiC半导体材料特性对比
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产能翻番，安森美碳化硅为何“必不可少”？
安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。
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