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比亚迪：汉EV首搭自研高性能碳化硅电机控制模块 百公里仅需3.9秒
比亚迪汉是比亚迪即将推出的一款中大型轿车，并带来混动DM和纯电动EV两种动力车型。从官方对外公布的信息中，可以发现其不仅拥有亮眼的外形设计，核心的动力性能更是优异，因此受到了国内不少消费者的关注。 日
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新基建时代，碳化硅在六大领域的典型应用
当前，抗击疫情的硬仗还没打完，疫后重建的硬仗已经打响，动力就是“新基建”。
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碳化硅半导体材料的来龙去脉
什么是碳化硅半导体?它的发展历程是怎样?在之前很长的时间里，我们基本都集中于以硅半导体材料为主的分立器件和集成电路的研究中，广泛应用于消费电子、工业控制、通信、汽车电子、航天航空等各个领域，带来的发展是巨大的。
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肖特基和碳化硅二极管解析
什么是肖特基和碳化硅二极管，他们有哪些注意事项?电子行业发展日新月异，离不开元器件家族各位的一起辛勤耕耘。本文我们就对二极管之肖特基和碳化硅，这两款二极管进入深入学习，看看哪些点是你不清楚的，一起把正确的思想捋顺了。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列解析
现在的电子产品离不开电子元器件，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
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SiC MOSFET在汽车和电源中的应用
科学技术的不断发展推动者电子元器件的不断革新，传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。
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高可靠性3300V碳化硅二极管，法国CALY授权一级代理商提供免费样品
CALY Technologies(卡利技术)，是欧洲知名的碳化硅保护设备和电源转换器件专家，能够提供高性能、高可靠性、高耐用性的SiC限流装置，SiC肖特基二极管等产品。
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CISSOID推出用于电动汽车的三相碳化硅MOSFET智能模块
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。
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借助Littelfuse栅极驱动器评估平台加快基于碳化硅的电源转换器的设计周期
协助设计师为数据中心、汽车HEV和工业应用实现碳化硅节能
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罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议
该协议将提高SiC器件的制造灵活性，促进车规级和工业级SiC商用
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罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议
~有助于推动SiC在车载市场和工业设备市场的普及~
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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年1月14日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
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中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将投产，最大碳化硅材料基地即将诞生
今日，据悉，中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将投产，项目达产后，预计形成产值 100 亿元。该项目将有吸引上游企业，形成产业聚集的作用。打造电子装备制造、第三
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Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器，提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间
MAX22701E将CMTI性能提升3倍、总体系统能耗降低30%，有效延长系统运行时间
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低损耗
2019年12月9日，美国新泽西州普林斯顿--新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
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意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购
从材料专业知识和工艺工程，到SiC MOSFET和二极管设计制造，意法半导体加强内部SiC生态系统建设
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Cree和ST提高现有碳化硅晶片供货协议总价
基于碳化硅的电源解决方案在整个汽车市场中的采用率正在快速提高，因为该行业力求加快行业从内燃机向电动汽车的转型，提高系统效率，使电动汽车具有更长的续航里程和更快的充电速度，同时降低成本，减轻车重，节省空间。
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高能效车载充电方案
电动、混动汽车可通过直流充电桩或普通的交流电源插座对其高压电池子系统进行充电，车载充电器(OBC)是交流充电的核心系统。
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